Básicamente, un transistor de efecto de campo o FET consta de una sección de semiconductor cuya conductancia está controlada por un campo eléctrico. La sección de silicio a través de la cual fluye la corriente se llama canal y consta de un tipo de silicio, ya sea de tipo N o de tipo P.
Las conexiones en cada extremo del dispositivo se conocen como fuente y drenaje. El campo eléctrico para controlar la corriente se aplica a un tercer electrodo conocido como puerta. Como sólo el campo eléctrico controla la corriente que fluye en el canal, se dice que el dispositivo funciona con voltaje y tiene una alta impedancia de entrada, generalmente muchos megaohmios.
Esto puede ser una clara ventaja sobre el transistor bipolar que funciona con corriente y tiene una impedancia de entrada mucho menor. El espesor de un área de agotamiento donde no hay portadores de carga varía de acuerdo con la magnitud de una polarización inversa en la unión.
En otras palabras, cuando hay una pequeña polarización inversa, la capa de agotamiento sólo se extiende un poco hacia el interior del canal y hay un área grande para conducir la corriente. Cuando se coloca una gran polarización negativa en la puerta, la capa de agotamiento aumenta, extendiéndose más hacia el interior del canal, reduciendo el área sobre la cual se puede conducir la corriente.
Con un sesgo creciente, la capa de agotamiento eventualmente aumentará hasta el punto de extenderse a lo largo del canal, y se dice que el canal está cortado. Cuando fluye una corriente por el canal, la situación se vuelve ligeramente diferente. Sin voltaje de compuerta, los electrones en el canal (suponiendo un canal de tipo n) serán atraídos por el potencial positivo en el drenaje y fluirán hacia él, permitiendo que fluya una corriente dentro del dispositivo y, por lo tanto, dentro del circuito externo.
La magnitud de la corriente depende de varios factores e incluye el área de la sección transversal del canal, su longitud y conductividad (es decir, el número de electrones libres en el material) y el voltaje aplicado.
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